E. Hulicius: шукати на сайті Z-Library

Рік:

1995

Мова:

english

Файл:

PDF, 413 KB

english, 1995

Light emitting diodes with InAs/GaAsSb self-assembled quantum dot layer embedded in GaAs

Hazdra, P., Oswald, J., Hospodková, A., Hulicius, E., Pangrác, J.

Журнал:

Crystal Research and Technology

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 837 KB

english, 2013

Lasers for Medical Applications || Semiconductor lasers for medical applications

Hulicius, E.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.77 MB

english, 2013

InGaN/GaN multiple quantum well for fast scintillation application: radioluminescence and photoluminescence study

Hospodková, Alice, Nikl, Martin, Pacherová, Oliva, Oswald, Jiří, Brůža, Petr, Pánek, Dalibor, Foltynski, Bartosz, Hulicius, Eduard, Beitlerová, Alena, Heuken, Michael

Журнал:

Nanotechnology

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 418 KB

english, 2014

Raman Scattering Study of Type II GaInAsSb/InAs Heterostructures

V. Vorlícek, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, T. Šimecek

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 104 KB

english, 2002

Ultrathin InAs and modulated InGaAs layers in GaAs grown by MOVPE studied by photomodulated reflectance spectroscopy

P. Hazdra, J. Voves, E. Hulicius, J. Pangrác, Z. Šourek

Журнал:

Applied Surface Science

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 749 KB

english, 2006

Optical characterisation of MOVPE grown vertically correlated InAs/GaAs quantum dots

P. Hazdra, J. Voves, J. Oswald, K. Kuldová, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác

Журнал:

Microelectronics Journal

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.13 MB

english, 2008

Performance study of radiation detectors based on semi-insulating GaAs with P+ homo- and heterojunction blocking electrode

František Dubecký, Eduard Hulicius, Paola Frigeri, Andrea Perd’ochová-Šagátová, Bohumír Zat’ko, Pavel Hubíkb, Enos Gombia, Pavel Boháček, Jiří Pangrác, Secondo Franchi, Vladimír Nečas

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 185 KB

english, 2006

Intense interface luminescence in type II narrow-gap InAs-based heterostructures at room temperature

Konstantin Moiseev, Eduard Ivanov, Vyacheslav Romanov, Maya Mikhailova, Yury Yakovlev, Eduard Hulicius, Alica Hospodková, Jiri Pangrác, Tomislav Šimeček

Журнал:

Physics Procedia

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 294 KB

english, 2010

Vapour pressure and heat capacities of metal organic precursors, Y(thd)3 and Zr(thd)4

Michal Fulem, Květoslav Růžička, Vlastimil Růžička, Tomislav Šimeček, Eduard Hulicius, Jiřı́ Pangrác

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 370 KB

english, 2004

Measurement of vapour pressure of In-based metalorganics for MOVPE

M. Fulem, K. Růžička, V. Růžička, E. Hulicius, T. Šimeček, J. Pangrác, S.A. Rushworth, L.M. Smith

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 455 KB

english, 2004

Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs

A. Hospodková, E. Hulicius, J. Oswald, J. Pangrác, T. Mates, K. Kuldová, K. Melichar, T. Šimeček

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 497 KB

english, 2007

Lateral shape of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures

A. Hospodková, V. Křápek, T. Mates, K. Kuldová, J. Pangrác, E. Hulicius, J. Oswald, K. Melichar, J. Humlíček, T. Šimeček

Журнал:

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 410 KB

english, 2007

Growth and properties of InAs/InxGa1−xAs/GaAs quantum dot structures

Eduard Hulicius, Jiří Oswald, Jiří Pangrác, Jan Vyskočil, Alice Hospodková, Karla Kuldová, Karel Melichar, Tomislav Šimeček

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 791 KB

english, 2008

Vapor pressure of germanium precursors

J. Pangrác, M. Fulem, E. Hulicius, K. Melichar, T. Šimeček, K. Růžička, P. Morávek, V. Růžička, S.A. Rushworth

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 178 KB

english, 2008

Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots

A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius, K. Kuldová, J. Vyskočil, K. Melichar, T. Šimeček

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 665 KB

english, 2008

Effect of Fe doping on optical properties of freestanding semi-insulating HVPE GaN:Fe

P. Gladkov, J. Humlíček, E. Hulicius, T. Šimeček, T. Paskova, K. Evans

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 402 KB

english, 2010

Influence of strain reducing layers on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures

A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, P. Hazdra, K. Kuldová, J. Vyskočil, E. Hulicius

Журнал:

The Journal of Chemical Thermodynamics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 494 KB

english, 2011

Vapour pressure measurement of metal organic precursors used for MOVPE

M. Fulem, K. Růžička, V. Růžička, T. Šimeček, E. Hulicius, J. Pangrác

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 265 KB

english, 2006

Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE

Jan Vaniš, Jiří Zelinka, Václav Malina, Mohamed Henini, Jiří Pangrác, Karel Melichar, Eduard Hulicius, Filip Šroubek, Jarmila Walachová

Журнал:

Microelectronics Journal

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 230 KB

english, 2009

Photoluminescence and magnetophotoluminescence of vertically stacked InAs/GaAs quantum dot structures

A. Hospodková, V. Křápek, K. Kuldová, J. Humlíček, E. Hulicius, J. Oswald, J. Pangrác, J. Zeman

Журнал:

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 498 KB

english, 2007

GaSb based lasers operating near 2.3 μm for high resolution absorption spectroscopy

S. Civiš, V. Horká, T. Šimeček, E. Hulicius, J. Pangrác, J. Oswald, O. Petříček, Y. Rouillard, C. Alibert, R. Werner

Журнал:

Spectrochimica Acta Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 188 KB

english, 2005

Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy

A. Hospodková, J. Vyskočil, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius, K. Kuldová

Журнал:

Surface Science

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 410 KB

english, 2010

MBE growth of InAs/InAsSb/AlAsSb structures for mid-infrared lasers

A. Wilk, F. Genty, B. Fraisse, G. Boissier, P. Grech, M. El Gazouli, P. Christol, J. Oswald, T. Simecek, E. Hulicius, A. Joullié

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 176 KB

english, 2001

InAs δ-layer structures in GaAs grown by MOVPE and characterised by luminescence and photocurrent spectroscopy

P. Hazdra, J. Voves, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, T. Šimeček

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 133 KB

english, 2003

Vapor pressure of metal organic precursors

M. Fulem, K. Růžička, V. Růžička, E. Hulicius, T. Šimeček, K. Melichar, J. Pangrác, S.A. Rushworth, L.M. Smith

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 279 KB

english, 2003

Current–voltage characteristics of GaSb homojunctions prepared by MOVPE

J. Toušková, D. Kindl, B. Blahitka, J. Toušek, E. Hulicius, J. Pangrác, E. Samochin, T. Šimeček, Z. Výborný

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 155 KB

english, 2003

InAs/GaAs multiple quantum dot structures grown by LP-MOVPE

J Pangrác, J Oswald, E Hulicius, K Melichar, V Vorlı́ček, I Drbohlav, T Šimeček

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2000

InAs/GaAs lasers with very thin active layer

J Oswald, E Hulicius, J Pangrác, K Melichar, T Šimeček, O Petrı́ček, M Vančura, J Hradil

Журнал:

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 1008 KB

english, 2000

Study of InAs quantum dots in GaAs prepared on misoriented substrates

J. Oswald, E. Hulicius, V. Vorlı&amp, #x0301, ček, J. Pangrác, K. Melichar, T. Šimeček, G. Lippold, V. Riede

Журнал:

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 246 KB

english, 1998

Magneto-photoluminescence study of electronic transitions in InAs/GaAs quantum dot layers

K Kuldová, J Oswald, J Zeman, E Hulicius, J Pangrác, K Melichar, T Šimeček

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 505 KB

english, 2002

Lasers with δ InAs layers in GaAs

J Oswald, E Hulicius, J Pangrác, K Melichar, T Šimeček, O Petřı́ček, K Kuldová, P Hazdra, J Voves

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 152 KB

english, 2002

Magneto-photoluminescence study of energy levels of self-organised InAs/GaAs quantum dots

J Oswald, K Kuldová, J Zeman, E Hulicius, S Jullian, M Potemski

Журнал:

Solar Energy Materials and Solar Cells

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 196 KB

english, 2000

Photoluminescence of Ga0.94In0.06As0.13Sb0.87 solid solution lattice matched to InAs

K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, T. Šimeček, E. Hulicius, J. Oswald

Журнал:

Optical Materials

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 91 KB

english, 2002

Charge transport study and spectral response of GaSb/GaAs heterojunctions prepared by MOVPE

J. Toušková, D. Kindl, E. Samochin, J. Toušek, E. Hulicius, J. Pangrác, T. Šimeček, Z. Výborný

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 151 KB

english, 2003

Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots

J Humlı́ček, D Munzar, K Navrátil, M Lorenc, J Oswald, J Pangrác, E Hulicius

Журнал:

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 115 KB

english, 2002

Optical characterization of MOVPE grown δ-InAs layers in GaAs

Pavel Hazdra, Jan Voves, Eduard Hulicius, Jiří Pangrác

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 197 KB

english, 2005

1.3 µm emission from InAs/GaAs quantum dots

K. Kuldová, V. Křápek, A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, K. Melichar, E. Hulicius, M. Potemski, J. Humlíček

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 354 KB

english, 2006

Room-temperature diode laser photoacoustic spectroscopy near 2.3

S. Civiš, V. Horká, J. Cihelka, T. Šimeček, E. Hulicius, J. Oswald, J. Pangrác, A. Vicet, Y. Rouillard, A. Salhi, C. Alibert, R. Werner, J. Koeth

Журнал:

Applied Physics B: Lasers and Optics

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 467 KB

english, 2005

Diagnostic and characterization of the VCSEL diodes based on

I. Matulková, J. Cihelka, J. Vyskočil, Z. Zelinger, E. Hulicius, T. Šimeček, S. Civiš

Журнал:

Applied Physics B: Lasers and Optics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 631 KB

english, 2010

InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots

A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác, J. Oswald, J. Vyskočil, K. Kuldová, T. Šimeček, P. Hazdra, O. Caha

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 383 KB

english, 2010

InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, J. Oswald, A. Vetushka, O. Caha, P. Hazdra, K. Kuldová, E. Hulicius

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 531 KB

english, 2011

InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

P. Hazdra, J. Oswald, M. Atef, K. Kuldová, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác

Журнал: